Massives “Solid SiC”, entwickelt nach unserer einzigartigen Technologie, ist ein sehr reines SiC, das mittels eines CVD-Prozesses hergestellt wird.

Dieses Material zeigt :

–         Sehr hohe Reinheit

–         Ausgezeichnete chemische Widerstandsfähigkeit

–         Sehr geringe Metalldiffusion

–         keinerlei Ausgasung

–         es weist die theoretische SiC-Dichte auf

Die Anwendungen für dieses Produkt sind:

–         Träger für Halbleiterscheiben

–         Suszeptoren

–         Führungsringe

–         Teile für Ätzverfahren

–         CVD Prozesse

  Typische Eigenschaften  

 

Density (g/cm³)	Specific Resistance (µΩm)	Flexural Strength (Mpa)	Hardness (Vickers)	Young’s Modulus (Gpa)	Thermal Conductivity @RT (W/mK)	C.T.E (RT-1000oC) (x10-6/K)
3.21	100	590	26	450	250	4.0

Analyse typischer Verunreinigungen : 

	Al	Ca	Cr	Cu	Fe	K	Na	Ni	Ti	V
ppb	20	16	9	13	31	58	3	6	3	<1

 

 

 

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